NDD04N60Z-1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NDD04N60Z-1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Grundproduktnummer | NDD04 |
NDD04N60Z-1G Einzelheiten PDF [English] | NDD04N60Z-1G PDF - EN.pdf |
ON TO-252
DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),
MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
ON TO-252-2
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OH
MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
ON SOT-252
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
ON SOT-252
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NDD04N60Z-1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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